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标题: 串口烧写程序到NANDFlash,发生错误 [打印本页]

作者: 51DSP2016    时间: 2017-3-23 15:45
标题: 串口烧写程序到NANDFlash,发生错误
使用AISgen制作完 .ais文件后,然后在控制台使用 sfh_OMAP-L138.exe 软件将DSP程序下载到 内核中时,最后一直卡在了
# i- T5 u' R5 ~3 X) B“waiting for sft on the omapl138 。。。”这里。上网查了一些资料,说是需要修改函数Uint32 DEVICE_ExternalMemInit( )+ x  Y$ o  g  h% L7 B3 \! ^- c
  的 5 个 DDR 参数值;但之前没有操作过,不知道怎么怎么修改,  a! N! T. t2 b; R. M2 u
1、请问这里应该怎么样修改DDR的参数值?
. Y3 p- X) n* {4 ?2、使用CCS5.3直接import光盘中的DSP例程,提示“Please install the ARMv5.1 compiler before importing this project.”;查看了一下编译器
; x2 w8 A; [# G# N$ ~; i    是TI V7.4 ;难道编译器不向下兼容吗?还是别的什么原因。 这样的话是不是就得重新安装一下光盘中的CCSV5.5 解决?
. S& ?, h( Y8 R
作者: weibo1988821    时间: 2017-3-23 16:38
1、网上的说法是针对自己设计,使用不同于官方开发板的DDR的问题,需要更改DDR参数,如果你使用创龙开发板的话,按照PDF的相关介绍可以直接利用创龙的工具进行烧写,不需要啊自己重新编译生成工具,从你的输出信息上判断,你是不是没有进行开发板复位?' V; F4 |  i, Y1 U8 D
2、你是不是安装CCS的时候没有勾选ARM的编译器?
作者: 51DSP2016    时间: 2017-3-24 12:46
weibo1988821 发表于 2017-3-23 16:38
7 n$ t) a6 Q" ?& }. K  @8 u( B1、网上的说法是针对自己设计,使用不同于官方开发板的DDR的问题,需要更改DDR参数,如果你使用创龙开发板 ...
, g, t4 `# p- t$ [3 m% j3 q% h
谢谢你的回复。
; b" d  R1 t$ V( D2 u9 x- Y6 X1、使用串口烧写是没有问题的,但是使用UARTHost就不可以使用串口助手了;所以我就考虑将程序烧写到NANDFlash中;但是拷贝到NANDFlash中就出现了上面的错误。至于开发板的复位确定肯定是按了的。
( U/ F* H6 o  ^0 g2、安装CCS的时候全部选择的 all 呀。




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